其它有关文件：2N7002 View All Specifications
标准包装：1
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：STripFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：43pF @ 25V
功率 - 最大：350mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23-3
包装：Digi-Reel?
其它名称：497-3111-6
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