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2N7002 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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2N7002详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23-3
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:2nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:43pF @ 25V
功率_最大:350mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3
包装:带卷 (TR)

2N7002详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:115mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
功率_最大:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23
包装:剪切带 (CT)

2N7002详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23-3
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:2nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:43pF @ 25V
功率_最大:350mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3
包装:Digi-Reel®

2N7002详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:115mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
功率_最大:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23
包装:Digi-Reel®

2N7002详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23-3
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:200mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:2nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:43pF @ 25V
功率_最大:350mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3
包装:剪切带 (CT)

2N7002详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:115mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
功率_最大:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23
包装:带卷 (TR)

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