标准包装：1,000
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：- IRF830PBF
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.5 欧姆 @ 2.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：610pF @ 25V
功率 - 最大：74W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：*IRF830PBF
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