IRF9630 场效应管的具体参数说明如下：
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET
特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 800 毫欧 @ 3.9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 29nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V
功率 - 最大 74W
安装类型 通孔
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