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STW65N023M9-4 MOSFET

发布时间:2023/7/28 18:26:00 访问次数:86 发布企业:深圳市鑫远鹏科技有限公司

STWA65N023M9 STW65N023M9-4

硅基 M9 技术受益于多漏极制造工艺，可实现增强的器件结构。所得产品是所有硅基快速开关超级结功率 MOSFET 中导通电阻较低且栅极电荷值较低的产品之一，因此特别适合需要卓越功率密度和出色效率的应用。

特征 在硅基器件中单位面积的RDS(ON)非常出色 更高的 VDSS额定值 更高的 dv/dt 能力 卓越的开关性能 易于驾驶 100% 雪崩测试 应用领域 电信服务器和数据中心 工业 SSR（固态继电器） 快速充电器 电信电源开关电源 X光机
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