STPM801 可保护负载免受高压瞬变的影响,通过控制外部 N 沟道 MOSFET 上的压降,在负载突降等过压 (OV) 事件期间限制和调节输出。集成理想二极管控制器驱动第二个 MOSFET(OR-ing)以取代肖特基二极管,实现反向输入保护和输出电压保持。
特征 宽输入电压范围:4V 至 65V 反向输入保护:-65V 两个外部 N 沟道 MOSFET 预驱动器 静态电流:<50 μA(如果 WAKE 为低电平) 输入 OV 和欠压 (UV) 保护 输出过流保护 符合 16750 交流纹波测试要求(50 Hz 至 25 kHz) 带外部电容器的可调软启动 根据 ISO 26262 开发,支持 ASIL D 应用 符合 AEC-Q100 标准 应用领域 区域/车身电子控制单元 (ECU) ADAS ECU 高性能计算 ECU 信息娱乐 ECU 冗余供电 双电池系统