位置:51电子网 » 企业新闻

IRF630NPBF

发布时间:2021/9/7 10:42:00 访问次数:266

公司坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则,将产品质量和客户利益放在首位,腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装,对货物所涉及的各个环节严格把关。货物质量是我们的首要任务,降低客户成本是我们的追求。深圳市腾桩电子有限公司,是电子元器件的国际分销商,代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS,


产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 9.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 23.3 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 82 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 小值: 4.9 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 100
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 7.9 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IRF630NPBF SP001564792
单位重量: 2 g

我司拥有多年的厂家配套经验,承接各类客户生产需求的采购货单配套,诚实守信,欢迎来电咨询!我们都以100%的热情为您真诚服务。


FDMS86181 ONSEMI
FDMS86300 ONSEMI
FOD817ASD ONSEMI
BAV99 NEXPERIA/安世
BCP53 NEXPERIA/安世
PDTC114ET NEXPERIA/安世
BCV61C NEXPERIA/安世
PMF170XP NEXPERIA/安世
PDTA114ET NEXPERIA/安世
BAV23S NEXPERIA/安世
BA6287F-E2 ROHM/罗姆
CAT24C04WI-GT3 ONSEMI
BAT54L NEXPERIA/安世
NCV8402ADDR2G ONSEMI
BZX84C15LT1G ONSEMI
BZX84C10LT1G ONSEMI
BZX84C5V6LT1G ONSEMI
BZX84C4V7LT1G ONSEMI
BZX84C9V1LT1G ONSEMI
BZX84C6V2LT1G ONSEMI
BZX84C6V8LT1G ONSEMI
BZX84C8V2LT1G ONSEMI
BZX84C7V5LT1G ONSEMI
BCP56 NEXPERIA/安世
MMSZ5245BT1G ONSEMI
BAV74LT1G ONSEMI
LM317LDR2G ONSEMI
1SS400T1G ONSEMI
MURS140T3G ONSEMI
FDV305N ONSEMI
MMSZ4679T1G ONSEMI
PBSS4160T NEXPERIA/安世
PBSS4140T NEXPERIA/安世
MBRA140T3G ONSEMI
PESD12VS1UL NEXPERIA/安世
PESD12VS2UT NEXPERIA/安世
PESD12VL1BA NEXPERIA/安世
PESD12VV1BL NEXPERIA/安世
PESD12VL2BT NEXPERIA/安世
PESD12VS1UB NEXPERIA/安世
FDN360P ONSEMI
PDZ18B NEXPERIA/安世
BAT54A NEXPERIA/安世
NTR4101PT1G ON/安森美
NTR4101PT1G ONSEMI
BAS70-04 NEXPERIA/安世
BAS70-06 NEXPERIA/安世
BAS70-05 NEXPERIA/安世
MMBZ18VALT1G ONSEMI
MRA4006T3G ONSEMI
2SC4097T106R ROHM/罗姆


上一篇:IHW20N135R5

下一篇:MFRC52202HN1,115

相关新闻

相关型号