产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 317 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 324 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 294 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Tube
商标: Infineon / IR
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IRFB7434PBF SP001575514
单位重量: 2 g
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MUR8100EG ONSEMI
FDC6327C ONSEMI
1SR154-400TE25 ROHM/罗姆
RE1C002UNTCL ROHM/罗姆
2N7002LT1G ONSEMI
NTA7002NT1G ONSEMI
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MC78M15CDTRKG ONSEMI
UDZVTE-1730B ROHM/罗姆
UDZVTE-1720B ROHM/罗姆
UDZVTE-1715B ROHM/罗姆
UDZVTE-173.9B ROHM/罗姆
UDZVTE-172.4B ROHM/罗姆
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TL431AIDBZR NEXPERIA/安世
BCP69T1G ONSEMI
IMT17T110 ROHM/罗姆
IMT1AT110 ROHM/罗姆
NTR4502PT1G ONSEMI
MOC3012M ONSEMI
LM324DR2G ONSEMI
PESD2CAN NEXPERIA/安世
PBSS5240T NEXPERIA/安世
PBSS5230T NEXPERIA/安世
PBSS5250X NEXPERIA/安世
MC79M05CDTRKG ONSEMI
PMBT4401 NEXPERIA/安世
PBSS5140T NEXPERIA/安世
PBSS5160T NEXPERIA/安世
BC857B NEXPERIA/安世
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BC857BS NEXPERIA/安世
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