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BSC079N10NSG

发布时间:2021/9/7 10:46:00 访问次数:246

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产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 13.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 66 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 156 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 11 ns
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns
系列: OptiMOS 2
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SP000379590 BSC79N1NSGXT BSC079N10NSGATMA1
单位重量: 122.800 mg

ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件、电源管理芯片、接口及通信器件以及各类二三极管(MOS管、肖特基、稳压管等),涉及通讯设备、汽车仪器、航空仪表、消费电子等领域!并能支持工厂BOM配单提供一站式采购服务

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BZX84C6V8LT1G ONSEMI
BZX84C8V2LT1G ONSEMI
BZX84C7V5LT1G ONSEMI
BCP56 NEXPERIA/安世
MMSZ5245BT1G ONSEMI
BAV74LT1G ONSEMI
LM317LDR2G ONSEMI
1SS400T1G ONSEMI
MURS140T3G ONSEMI
FDV305N ONSEMI
MMSZ4679T1G ONSEMI
PBSS4160T NEXPERIA/安世
PBSS4140T NEXPERIA/安世
MBRA140T3G ONSEMI
PESD12VS1UL NEXPERIA/安世
PESD12VS2UT NEXPERIA/安世
PESD12VL1BA NEXPERIA/安世
PESD12VV1BL NEXPERIA/安世
PESD12VL2BT NEXPERIA/安世
PESD12VS1UB NEXPERIA/安世
FDN360P ONSEMI
PDZ18B NEXPERIA/安世
BAT54A NEXPERIA/安世
NTR4101PT1G ON/安森美
NTR4101PT1G ONSEMI
BAS70-04 NEXPERIA/安世
BAS70-06 NEXPERIA/安世
BAS70-05 NEXPERIA/安世
MMBZ18VALT1G ONSEMI
MRA4006T3G ONSEMI
2SC4097T106R ROHM/罗姆
1PS76SB10 NEXPERIA/安世
1PS76SB70 NEXPERIA/安世
1PS76SB21 NEXPERIA/安世
1PS76SB40 NEXPERIA/安世
MJD44H11T4G ONSEMI
PMEG2005ET NEXPERIA/安世
PMEG2005EB NEXPERIA/安世
PMEG2020EJ NEXPERIA/安世
PMEG2020EH NEXPERIA/安世
PMEG2005CT NEXPERIA/安世
PMEG2005EH NEXPERIA/安世
MMUN2232LT1G ONSEMI
MMUN2233LT1G ONSEMI
MMUN2214LT1G ONSEMI
MMUN2211LT1G ONSEMI
MMBT2907AWT1G ONSEMI
MBR0540T1G ONSEMI
DTA143EETL ROHM/罗姆
DTA143EUAT106 ROHM/罗姆
DTA143EKAT146 ROHM/罗姆

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