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2SA1943-O(Q)

发布时间:2021/5/31 20:57:00 访问次数:189 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司




描述:2SA1943-O(Q)

东芝晶体管PNP三重扩散型


特点:2SA1943-O(Q)
功率放大器应用
•高集电极电压:VCEO = −230 V(最小)
•补充2SC5200
•推荐用于100 W高保真音频放大器
输出阶段。


2SA1943-O(Q)

制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 230 V
集电极—基极电压 VCBO: - 230 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
集电极—射极饱和电压: - 1.5 V
最大直流电集电极电流: - 15 A
Pd-功率耗散: 150000 mW
增益带宽产品fT: 30 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: 2SA
封装: Tray
直流电流增益 hFE 最大值: 160
高度: 26 mm
长度: 20.5 mm
技术: Si
宽度: 5.2 mm
商标: Toshiba
集电极连续电流: - 15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 55
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
单位重量: 6.756 g

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