描述：2SC5200-O(Q)
东芝晶体管硅NPN三重扩散型特点：2SC5200-O(Q)
功率放大器应用
•高击穿电压：VCEO = 230 V（最小）
•补充2SA1943
•适用于100 W高保真音频放大器的输出级
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 230 V
集电极—基极电压 VCBO: 230 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 0.4 V
最大直流电集电极电流: 15 A
Pd-功率耗散: 150000 mW
增益带宽产品fT: 30 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: 2SC
封装: Tray
直流电流增益 hFE 最大值: 160
高度: 26 mm
长度: 20.5 mm
技术: Si
宽度: 5.2 mm
商标: Toshiba
集电极连续电流: 15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 55
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
单位重量: 6.800 g
