描述：2SC3324-GR
东芝晶体管硅NPN外延型（PCT工艺）特点：2SC3324-GR
音频低噪声放大器应用
•高电压：VCEO = 120 V
•出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1 mA）/ hFE（IC = 2 mA）
= 0.95（典型值）
•高hFE：hFE = 200〜700
•低噪声：NF（2）= 0.2dB（典型值），3dB（最大）
•补充2SA1312
•小包装
详细参数：2SC3324-GR
参数名称参数值
生命周期
IHS制造商东芝公司
零件包装代码SOT-23
包装说明R-PDSO-G3
针数3
达到合规性代码未知
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.21.00.95
风险等级5.57
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流（IC）0.1 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置单
最小直流电流增益（hFE）200
JEDEC-95码TO-236
JESD-30代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125°C
封装主体材料PLASTIC / EPOXY
封装形状矩形
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散（Abs）0.15 W
认证状态不合格
子类别其他晶体管
表面贴装是
端子面层TIN LEAD
端子形式鸥翼
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率（fT）100 MHz
VCEsat-最大0.3 V
