描述：STN1HNK60
这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET由意法半导体（STMicroelectronics）使用SuperMESH™技术开发，优化完善的PowerMESH™。 除了重大这些器件旨在降低导通电阻，以确保高水平的dv / dt最苛刻的应用程序的能力。
特性：STN1HNK60
•极高的dv / dt功能
•经过100％雪崩测试
•栅极电荷最小化
应用领域：STN1HNK60
•切换应用
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-223-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:400 mA
Rds On-漏源导通电阻:8.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.25 V
Qg-栅极电荷:7 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:3.3 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:SuperMESH
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.8 mm
长度:6.5 mm
系列:STN1HNK60
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:3.5 mm
商标:STMicroelectronics
下降时间:25 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:5 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:19 ns
典型接通延迟时间:6.5 ns
单位重量:250 mg
