描述：STN1NK80Z
SuperMESH™系列可通过以下方式获得：对ST的完善进行了彻底的优化基于条带的PowerMESH™布局。 此外大大降低导通电阻，特别注意确保非常好的dv / dt功能适用于最苛刻的应用。 这样的系列补充了ST全系列的高压MOSFET，包括革命性的MDmesh™产品。
应用领域：STN1NK80Z
■交流适配器和电池充电器
■SWITH模式电源（SMPS）
特性：STN1NK80Z
■典型RDS（on）=13Ω
■极高的dv / dt功能
■ESD改进的功能
■100％雪崩测试
■新的高压基准
■门控充电最小化
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-223-4
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:800 V
Id-连续漏极电流:250 mA
Rds On-漏源导通电阻:16 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:7.7 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.8 mm
长度:6.5 mm
系列:STN1NK80Z
晶体管类型:1 N-Channel MOSFET
类型:Power MOSFET
宽度:3.5 mm
商标:STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:0.8 S
下降时间:55 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:30 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:22 ns
典型接通延迟时间:8 ns
单位重量:250 mg
