描述：AON6358
30V N沟道MOSFET•沟道功率αMOS技术30V
•低RDS（ON）
•低栅极电荷
•高电流能力
•符合RoHS和无卤素标准
应用：AON6358
•计算中的DC / DC转换器
•电信和工业中的隔离式DC / DC转换器
产品概要：AON6358
VDS
ID（在VGS = 10V时）85A
RDS（ON）（在VGS = 10V时）<2.2mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V时）<3.6mΩ
经过100％UIS测试
已通过100％汞测试
详细参数：AON6358
参数名称参数值
是否无铅不含铅不含铅
是否Rohs认证符合符合
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包装说明R-PDSO-F5
达到合规性
风险等级1.79
雪崩能效等级（Eas）63 mJ
外壳连接排水
使用内置二极管配置单个
最小漏源击穿电压30 V
最大电流（ID）85 A
最大漏源导通电阻0.0036Ω
场效应管技术金属氧化物半导体
JESD-30代码R-PDSO-F5
元件数量1
端子数量5
工作模式
最低工作温度-55°C
封装主体材料PLASTIC / EPOXY
封装形状矩形
封装形式SMALL OUTLINE
暂未确定初始温度（摄氏度）
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲交流电流（IDM）230 A
表面贴装是
端子形式FLAT
端子位置DUAL
未指定处于初始温度下的最极端
晶体管应用开关
晶体管元件材料SILICON
