描述：AON3814L
共漏双N通道增强模式字段效应晶体管
AON3814 / L使用先进的沟槽技术
提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和
栅极电压低至1.8V时运行
保持12V VGS（MAX）额定值。 它具有ESD保护。
该设备适合用作单向或双向
双向负载开关，通过其共漏极配置实现。 AON3814和AON3814L是
电气相同。
-符合RoHS
-AON3814L无卤素
特征：AON3814L
VDS（V）= 20V
ID = 6A（VGS = 4.5V）
RDS（ON）<17mΩ（VGS = 4.5V）
RDS（ON）<18.5mΩ（VGS = 4V）
RDS（ON）<23mΩ（VGS = 3.1V）
RDS（ON）<24mΩ（VGS = 2.5V）
RDS（ON）<39mΩ（VGS = 1.8V）
ESD保护
详细参数：AON3814L
参数名称参数值
生命周期已过时
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包装说明，
达到合规性
风险等级5.79
