描述：AON6240
40V N沟道MOSFETAON6240使用沟槽MOSFET技术
经过独特的优化以提供最高效的
频率切换性能。功率损耗为
由于以下因素的极低组合而最小化
RDS（ON）和Crss。此外，切换行为也很好
由“肖特基风格”软恢复体控制
二极管。
产品概要：AON6240
VDS
ID（在VGS = 10V时）85A
RDS（ON）（在VGS = 10V时）<1.6mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V时）<2.4mΩ
经过100％UIS测试
100％汞
经过测试
详细参数：AON6240
参数名称参数值
是否Rohs认证符合符合
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包装说明，
达到合规性
风险等级1.76
配置单
最大饱和电流（Abs）（ID）85 A
最大短路电流（ID）85 A
场效应管技术金属氧化物半导体
湿度敏感等级1
工作模式
最高工作温度150°C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散（Abs）83 W
子类别FET通用电源
表面贴装是
