描述:IRF640PBF
Vishay的第三代功率MOSFET提供了具有快速切换最佳组合的设计师，坚固的设备设计，低导通电阻和成本效益。TO-220AB封装普遍适用于所有功耗下的商业应用级别约为50W。低热阻TO-220AB的低包装成本有助于其在整个行业得到广泛认可。
特征:IRF640PBF
•动态dV / dt额定值
•重复雪崩等级
•快速切换
•易于并联
•简单的驱动器要求
•物料分类：用于符合性的定义
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续漏极电流:3.3 A
Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:8.2 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:36 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:15.49 mm
长度:10.41 mm
系列:IRF
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.7 mm
商标:Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值:0.8 S
下降时间:8.9 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:17 ns
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:14 ns
典型接通延迟时间:8.2 ns
单位重量:6 g
