描述;IRF7493TRPBF
80V正极N通道HEXFET功率MOSFET，采用SO-8封装
优势:IRF7493TRPBF
针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
根据JEDEC标准的产品认证
针对10 V栅极驱动电压进行了优化（称为正常水平）
工业标准表面贴装电源套件
能够波峰焊
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:80 V
Id-连续漏极电流:9.2 A
Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:31 nC
Pd-功率耗散:2.5 W
配置:Single
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.75 mm
长度:4.9 mm
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:3.9 mm
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFETs
零件号别名:SP001575326
单位重量:540 mg
