描述:IRF840APBF
功率MOSFET
特征:IRF840APBF
•低栅极电荷Qg可实现简单驱动需求
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•全面表征的电容和雪崩电压和当前
•指定有效cos
•符合RoHS指令2002/95 / EC
应用领域:IRF840APBF
•开关模式电源（SMPS）
•不间断电源
•高速电源开关典型的SMPS拓扑
•两个晶体管正向
•半桥
•全桥
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:500 V
Id-连续漏极电流:8 A
Rds On-漏源导通电阻:850 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:38 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:125 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
系列:IRF
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值:3.7 S
下降时间:19 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:23 ns
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:26 ns
典型接通延迟时间:11 ns
单位重量:6 g
