AO8814

描述：AO8814
共漏双N通道增强模式字段
效应晶体管
一般说明
AO8814使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至1.8V时运行保持12V VGS（MAX）额定值。 它具有ESD保护。该设备适合用作单向或双向双向负载开关，通过其共漏极配置实现。

特征：AO8814
VDS（V）= 20V
ID = 7.5安（VGS = 10V）
RDS（ON）<16mΩ（VGS = 10V）
RDS（ON）<18mΩ（VGS = 4.5V）
RDS（ON）<20mΩ（VGS = 3.6V）
RDS（ON）<24mΩ（VGS = 2.5V）
RDS（ON）<34mΩ（VGS = 1.8V）
ESD额定值：2500V HBM

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO8814
描述MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期26 周
详细描述2-N-沟道（双）共漏-Mosfet-阵列-20V-1.5W-表面贴装型-8-TSSOP

一般信息：AO8814

数据列表AO8814;
TSSOP8 Pkg Drawing;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列-

规格：AO8814

FET 类型2 N 沟道（双）共漏
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）16 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）15.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1390pF @ 10V
功率 - 最大值1.5W
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装8-TSSOP