AO6800

描述：AO6800
30V双N沟道MOSFET
AO6800使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和带栅极工作电压低至2.5V。 该设备适合用作负载开关或PWM应用中。

产品概要：AO6800
VDS 30V
ID（在VGS = 10V时）3.4A
RDS（ON）（在VGS = 10V时）<60mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V时）<70mΩ
RDS（ON）（在VGS = 2.5V时）<90mΩ

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO6800
描述MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期26 周
详细描述2-N-通道（双）-Mosfet-阵列-30V-3.4A-1.15W-表面贴装型-6-TSOP

一般信息：AO6800

数据列表AO6800;
TSOP6 Pkg Drawing;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列-
其它名称785-1081-2


规格：AO6800

FET 类型2 N-通道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）60 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）235pF @ 15V
功率 - 最大值1.15W
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-74，SOT-457
供应商器件封装6-TSOP