AO8820

描述：AO8820
20V共漏双N沟道MOSFET
AO8820使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和带栅极工作电压低至1.8V，同时保持12V VGS（MAX）评分。 它具有ESD保护。 该设备适合使用作为单向或双向负载开关，通过其共漏极配置。

产品概要：AO8820
VDS 20V
ID（在VGS = 10V时）7A
RDS（ON）（在VGS = 10V时）<21mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V时）<24mΩ
RDS（ON）（在VGS = 3.6V时）<28mΩ
RDS（ON）（在VGS = 2.5V时）<32mΩ
RDS（ON）（在VGS = 1.8V时）<50mΩ

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO8820
描述MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期26 周
详细描述2-N-沟道（双）共漏-Mosfet-阵列-20V-7A-1.5W-表面贴装型-8-TSSOP

一般信息：AO8820

数据列表AO8820;
TSSOP8 Pkg Drawing;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列-
其它名称785-1097-2


规格：AO8820

FET 类型2 N 沟道（双）共漏
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）21 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）500pF @ 10V
功率 - 最大值1.5W
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装8-TSSOP