IPD60R400CE

IPD60R400CE属性

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IPD60R400CE描述

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 14.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 32 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 112 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
系列: CoolMOS CE
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD60R400CE SP001396880
单位重量: 330 mg

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