SPP11N60C3

SPP11N60C3属性

---

SPP11N60C3描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 45 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 8.3 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
系列: CoolMOS C3
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: CoolMOS Power Transistor
典型关闭延迟时间: 44 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: SPP11N60C3 SP000681040
单位重量: 2 g

---

SPP11N60C3相关产品