SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3属性

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SI4488DY-T1-E3描述

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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 36 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
产品类型: MOSFET
系列: SI4
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
零件号别名: SI4488DY-E3
单位重量: 74 mg

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