FQPF4N90C
FQPF4N90C属性
- 价优
- 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
- 价优
- ON
FQPF4N90C描述
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220FP-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:900 V
Id-连续漏极电流:4 A
Rds On-漏源导通电阻:4.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:47 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:QFET
封装:Tube
高度:16.07 mm
长度:10.36 mm
系列:FQPF4N90C
晶体管类型:1 N-Channel
类型:MOSFET
宽度:4.9 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:5 S
下降时间:35 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:50 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:40 ns
典型接通延迟时间:25 ns
零件号别名:FQPF4N90C_NL
单位重量:2.270 g
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