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FQPF4N90C

FQPF4N90C产品图片
  • 发布时间:2020/5/12 14:16:44
  • 所属类别:三极管 » 其他三极管
  • 公    司:深圳市川蓝电子科技有限公司
  • 联 系 人:彭小姐
  • FQPF4N90C供应商

FQPF4N90C属性

  • 价优
  • 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
  • 价优
  • ON

FQPF4N90C描述

制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220FP-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:900 V
Id-连续漏极电流:4 A
Rds On-漏源导通电阻:4.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:47 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:QFET
封装:Tube
高度:16.07 mm
长度:10.36 mm
系列:FQPF4N90C
晶体管类型:1 N-Channel
类型:MOSFET
宽度:4.9 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:5 S
下降时间:35 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:50 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:40 ns
典型接通延迟时间:25 ns
零件号别名:FQPF4N90C_NL
单位重量:2.270 g


深圳市川蓝电子科技有限公司
深圳市福田区中航路世纪汇广场都会轩1810
TEL:+86-0755-82522939
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联系方式
  • 联系人:彭小姐
  • 地 址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
  • 邮 编:518031
  • 电 话:0755-82522939
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