BSC120N03LS G

BSC120N03LS G属性

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BSC120N03LS G描述

制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TDSON-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:39 A
Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:15 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:28 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:OptiMOS
封装:Reel
高度:1.27 mm
长度:5.9 mm
系列:OptiMOS 3
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:5.15 mm
商标:Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:25 S
下降时间:2.2 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:2.2 ns
工厂包装数量:5000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:12 ns
典型接通延迟时间:2.7 ns
零件号别名:BSC120N03LS G SP000302848
单位重量:242 mg


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