FDMS1D5N03
FDMS1D5N03属性
- 价优
- 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN
- 价优
- ON
FDMS1D5N03描述
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Power-56-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:218 A
Rds On-漏源导通电阻:900 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV
Qg-栅极电荷:139 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:83 W
通道模式:Enhancement
封装:Reel
配置:Single
系列:FDMS1D5N03
晶体管类型:1 N-Channel
商标:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:320 S
下降时间:4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:5 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:52 ns
典型接通延迟时间:16 ns
单位重量:106 mg
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