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FDMS1D5N03

FDMS1D5N03产品图片
  • 发布时间:2020/6/12 14:22:43
  • 所属类别:三极管 » 其他三极管
  • 公    司:深圳市川蓝电子科技有限公司
  • 联 系 人:彭小姐
  • FDMS1D5N03供应商

FDMS1D5N03属性

  • 价优
  • 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN
  • 价优
  • ON

FDMS1D5N03描述

制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Power-56-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:218 A
Rds On-漏源导通电阻:900 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV
Qg-栅极电荷:139 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:83 W
通道模式:Enhancement
封装:Reel
配置:Single
系列:FDMS1D5N03
晶体管类型:1 N-Channel
商标:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:320 S
下降时间:4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:5 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:52 ns
典型接通延迟时间:16 ns
单位重量:106 mg


深圳市川蓝电子科技有限公司
深圳市福田区中航路世纪汇广场都会轩1810
TEL:+86-0755-82522939
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联系方式
  • 联系人:彭小姐
  • 地 址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
  • 邮 编:518031
  • 电 话:0755-82522939
  • 传 真:0755-82522939
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