IXFK98N50P3
IXFK98N50P3属性
- TO-264
- IXYS
IXFK98N50P3描述
IXFK98N50P3 IXYS艾赛斯
IXFK98N50P3 封装TO-264
IXFK98N50P3 参数:500V 98A 类型:N沟道MOS管
一般信息数据列表 IXFK-FX98N50P3;
标准包装 25
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HiPerFET™,Polar3™
规格FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 98A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 197nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13100pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-264AA(IXFK)
封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
深圳市兴科泰科技有限公司
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优势产品线:MOSFET场效应管、可控硅、快恢复二极管、肖特基管、大功率IGBT
以及集成电路IC、电源驱动IC、音响功放IC、 贴片MOSFET、片状二、三极管、桥堆。
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