FDA59N30
FDA59N30属性
- TO-3P
- ON安森美
FDA59N30描述
FDA59N30 ON安森美原装进口大功率N沟道MOS管
FDA59N30 封装TO-3P FDA59N30参数为 300V 59A
FDA59N30详细参数如下:
FDA59N30 规格表: FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 300V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 56 毫欧 @ 29.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4670pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3PN
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
深圳市兴科泰科技有限公司
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优势产品线:MOSFET场效应管、可控硅、快恢复二极管、肖特基管、大功率IGBT
以及集成电路IC、电源驱动IC、音响功放IC、 贴片MOSFET、片状二、三极管、桥堆。
更多原装ON现货物料: KSE340 KSE350 MJE350 MJE350 MJE15032 MJE15033
KSD1691-Y FQA70N10 FQP70N10 FQP13N10 TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP50
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1M0765R
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