IXFH16015T2
IXFH16015T2属性
- TO-247
- IXYS
IXFH16015T2描述
IXFH160N15T2 品牌IXYS
IXFH160N15T2 沟道MOS管
IXFH160N15T2 封装 TO-247参数150V 160A
一般信息
数据列表 IXFH160N15T2;
标准包装 30
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 GigaMOS™,HiPerFET™,TrenchT2™
规格 FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 253nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 880W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AD(IXFH)
封装/外壳 TO-247-3
图像和媒体 产品相片 TO-247
深圳市兴科泰科技有限公司
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优势产品线:MOSFET场效应管、可控硅、快恢复二极管、肖特基管、大功率IGBT
以及集成电路IC、电源驱动IC、音响功放IC、 贴片MOSFET、片状二、三极管、桥堆。
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