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TK6A45DA(STA4,Q,M) 全国供应商、价格、PDF资料

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TK6A45DA(STA4,Q,M)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：450V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.35 欧姆 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：35W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3 整包; 供应商设备封装：TO-220SIS; 包装：管件

TK6A45DA(STA4,Q,M)供应商

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TFT20030 NA005
实心管，套管 Alpha Wire 01005（0402 公制） TUBING PTFE .010" ID 100’ CLR
TL432AQDBZR
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
NSBA123JDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
SSA-127-W-T-RA
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 27POS TIN WW R/A
TK60S06K3L(T6L1,NQ
FET - 单 Toshiba TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3
NSBA143EDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
SS445P
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-226-3、TO-92-3 标准主体 SENSOR TO92 HIGH SENSITIVITY
TFX10IW-X
线槽，走线系统 - 附件 Panduit Corp 01005（0402 公制） TEE FTG BRACK LD/LDP/CD10 OWHT
TL432AQDBZRQ1
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
SSA-128-W-G-RA
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 28PS GOLD WW R/A
NSBC114EPDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
TG.10.0113
RF 天线 Taoglas Limited SC-90，SOD-323F RF ANTENNA
SMA5J12CAHE3/61
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 500W 12V 5% SMA
NSBC114YDXV6T5G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563
TL432ASA-7
PMIC - 电压基准 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3

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