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NSBA143EDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：4.7k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：15 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

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NSBA143EDXV6T1G 深圳市银芯龙科技有限公司 13510131896
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NSBA143EDXV6T1G 北京元坤国际科技有限公司 010-62962871、
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晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
NSBA114TDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
SSA-127-S-G
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 27POS GOLD PCB
TK5A45DA(STA4,Q,M)
FET - 单 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
SS441A-S
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-262-3短引线，I²Pak SENSOR HALL EFFECT UNIPOLAR SMD
TFT20030 NA005
实心管，套管 Alpha Wire 01005（0402 公制） TUBING PTFE .010" ID 100’ CLR
TL432AQDBZR
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
NSBA123JDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
SSA-127-W-T-RA
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 27POS TIN WW R/A
SS445P
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-226-3、TO-92-3 标准主体 SENSOR TO92 HIGH SENSITIVITY
TFX10IW-X
线槽，走线系统 - 附件 Panduit Corp 01005（0402 公制） TEE FTG BRACK LD/LDP/CD10 OWHT
TL432AQDBZRQ1
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
NSBC114EDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
TK6A45DA(STA4,Q,M)
FET - 单 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS
SSA-128-W-G-RA
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 28PS GOLD WW R/A

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