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» 型号"TK60S06K3L(T6L1,NQ"的供应信息
TK60S06K3L(T6L1,NQ 全国供应商、价格、PDF资料
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TK60S06K3L(T6L1,NQ详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2900pF @ 10V
功率_最大:88W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK+
包装:带卷 (TR)
TK60S06K3L(T6L1,NQ供应商
TK60S06K3L(T6L1,NQ
深圳市金鑫弈科技有限公司
755-83349415/
TK60S06K3L(T6L1,NQ
深圳市春东电子有限公司
0755-82563615
TK60S06K3L(T6L1,NQ
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
0755-23607529
查看更多TK60S06K3L(T6L1,NQ的供应商
TL432AIDBVR
PMIC - 电压基准 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-5
NSBA114EDXV6T5G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
NSBA114TDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
SSA-127-S-G
板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 27POS GOLD PCB
TK5A45DA(STA4,Q,M)
FET - 单 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
SS441A-S
磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-262-3短引线,I²Pak SENSOR HALL EFFECT UNIPOLAR SMD
TFT20030 NA005
实心管,套管 Alpha Wire 01005(0402 公制) TUBING PTFE .010" ID 100’ CLR
TL432AQDBZR
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
NSBA123JDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
NSBA143EDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
SS445P
磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-226-3、TO-92-3 标准主体 SENSOR TO92 HIGH SENSITIVITY
TFX10IW-X
线槽,走线系统 - 附件 Panduit Corp 01005(0402 公制) TEE FTG BRACK LD/LDP/CD10 OWHT
TL432AQDBZRQ1
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
NSBC114EDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
TK6A45DA(STA4,Q,M)
FET - 单 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS
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