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» 型号"MVE16VC10RMD55TP"的供应信息
MVE16VC10RMD55TP 全国供应商、价格、PDF资料
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MVE16VC10RMD55TP详细规格
类别:电容器
描述:CAP ALUM 10UF 16V 20% SMD
系列:MVE
制造商:United Chemi-Con
电容:10µF
额定电压:16V
容差:±20%
寿命0a0温度:105°C 时为 1000 小时
工作温度:-40°C ~ 105°C
特点:通用
纹波电流:17mA
ESR(等效串联电阻):33.15 欧姆
阻抗:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:径向,Can - SMD
尺寸/尺寸:0.157" 直径(4.00mm)
高度_座高(最大):0.205"(5.20mm)
引线间隔:-
表面贴装占地面积:0.169" L x 0.169" W(4.30mm x 4.30mm)
包装:带卷 (TR)
MVE16VC10RMD55TP供应商
MVE16VC10RMD55TP
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
MVE16VC10RMD55TP
北京显周科技有限公司
13910052844(微
MVE16VC10RMD55TP
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
查看更多MVE16VC10RMD55TP的供应商
MT46H16M16LFBF-6:A TR
存储器 Micron Technology Inc 60-VFBGA IC DDR SDRAM 256MBIT 60VFBGA
OF333J
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 33K OHM .5W CARB COMP
MCR25JZHF3830
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 383 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MVE10VC47RMF55TP
电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 47UF 10V 20% SMD
MCR03EZPFX1602
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 16.0K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MT4HTF6464AZ-667H1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-UDIMM MOD DDR2 SDRAM 512MB 240UDIMM
MCR10EZPF5761
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 5.76K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MT46H16M32LFB5-6 IT:C
存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 512MB 166MHZ 90VFBGA
MS3475W18-30SW
连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 30POS CABLE SCKT
MCR25JZHF3920
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 392 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MCR03EZPFX1602
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 16.0K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MT4HTF6464HZ-667H1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 200-SODIMM MOD DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM
MCR10EZPF5762
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 57.6K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
OF361J
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 360 OHM .5W CARB COMP
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR
存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC DDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA
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