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MVE10VC47RMF55TP详细规格: 类别：电容器; 描述：CAP ALUM 47UF 10V 20% SMD; 系列：MVE; 制造商：United Chemi-Con; 电容：47µF; 额定电压：10V; 容差：±20%; 寿命0a0温度：105°C 时为 1000 小时; 工作温度：-40°C ~ 105°C; 特点：通用; 纹波电流：48mA; ESR（等效串联电阻）：8.464 欧姆; 阻抗：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：径向，Can - SMD; 尺寸/尺寸：0.248" 直径（6.30mm）; 高度_座高（最大）：0.205"（5.20mm）; 引线间隔：-; 表面贴装占地面积：0.260" L x 0.260" W（6.60mm x 6.60mm）; 包装：带卷 (TR)

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MT45W4MW16PFA-70 IT TR
存储器 Micron Technology Inc 48-VFBGA IC PSRAM 64MBIT 70NS 48VFBGA
MCR25JZHF3741
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 3.74K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MVE10VC101MF55TP
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 100UF 10V 20% SMD
MCR03EZPFX1601
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 1.60K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MT4HTF6464AY-667E1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 512MB 240-UDIMM
MCR10EZPF56R0
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 56.0 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MS3475W18-30S
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 30POS CABLE SCKT
MT46H16M16LFBF-6:A TR
存储器 Micron Technology Inc 60-VFBGA IC DDR SDRAM 256MBIT 60VFBGA
OF333J
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 33K OHM .5W CARB COMP
MCR03EZPFX1602
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 16.0K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MT4HTF6464AZ-667H1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-UDIMM MOD DDR2 SDRAM 512MB 240UDIMM
MCR10EZPF5761
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 5.76K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MT46H16M32LFB5-6 IT:C
存储器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 512MB 166MHZ 90VFBGA
MS3475W18-30SW
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 30POS CABLE SCKT
OF33GJE
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 3.3 OHM .5W CARB COMP