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» 型号"MVA50VC47RMF80TP"的供应信息
MVA50VC47RMF80TP 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
MVA50VC47RMF80TP详细规格
类别:电容器
描述:CAP ALUM 47UF 50V 20% SMD
系列:MVA
制造商:United Chemi-Con
电容:47µF
额定电压:50V
容差:±20%
寿命0a0温度:85°C 时为 2000 小时
工作温度:-40°C ~ 85°C
特点:通用
纹波电流:85mA
ESR(等效串联电阻):4.232 欧姆
阻抗:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:径向,Can - SMD
尺寸/尺寸:0.248" 直径(6.30mm)
高度_座高(最大):0.303"(7.70mm)
引线间隔:-
表面贴装占地面积:0.260" L x 0.260" W(6.60mm x 6.60mm)
包装:带卷 (TR)
MVA50VC47RMF80TP供应商
MVA50VC47RMF80TP
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
13424184668
MVA50VC47RMF80TP
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
MVA50VC47RMF80TP
北京显周科技有限公司
13910052844(微
MVA50VC47RMF80TP
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
13424184668
MVA50VC47RMF80TP
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
查看更多MVA50VC47RMF80TP的供应商
MX25L6406EMI-12G
存储器 Macronix 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC FLASH SER 64MB 86MHZ 16SOP
MVA50VC10RME55TP
电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 10UF 50V 20% SMD
OMNI242
RF 天线 RFM 3-SIP ANTENNA 2.4GHZ 2DBI OMNI TNC
MT5VDDT3272AY-335F1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 256MB 184-DIMM
MCR18EZHF2100
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 210 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MT29F8G08ABABAWP:B TR
存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
MCR03EZPJ334
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 330K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
HF50ACC321611-T
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1206(3216 公制) FERRITE CHIP 31 OHM 1.5A 1206
MX25U1635EZUI-10G
存储器 Macronix 8-UDFN 裸露焊盘 IC FLASH SER 16MB 104MHZ 8USON
MCR18EZHF2101
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 2.10K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MT5VDDT3272AY-40BF1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 256MB 184-DIMM
MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR
存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
MCR03EZPJ361
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 360 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MX25U3235EZNI-10G
存储器 Macronix 8-WDFN 裸露焊盘 IC FLASH 1.8V 32MB 104MHZ 8WSON
HF50ACC321611-T
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1206(3216 公制) FERRITE CHIP 31 OHM 1.5A 1206
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