MVA50VC10RME55TP的供应信息|PDF资料|求购MVA50VC10RME55TP上51电子网

MVA50VC10RME55TP详细规格: 类别：电容器; 描述：CAP ALUM 10UF 50V 20% SMD; 系列：MVA; 制造商：United Chemi-Con; 电容：10µF; 额定电压：50V; 容差：±20%; 寿命0a0温度：85°C 时为 2000 小时; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 特点：通用; 纹波电流：30mA; ESR（等效串联电阻）：19.89 欧姆; 阻抗：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：径向，Can - SMD; 尺寸/尺寸：0.197" 直径（5.00mm）; 高度_座高（最大）：0.205"（5.20mm）; 引线间隔：-; 表面贴装占地面积：0.209" L x 0.209" W（5.30mm x 5.30mm）; 包装：带卷 (TR)

MVA50VC10RME55TP供应商

查看更多MVA50VC10RME55TP的供应商

MX25L512EMI-10G
存储器 Macronix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC FLASH SER 3V 512KB 8SOP
HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1206（3216 公制） FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
OMNI1500XLNAFTA
UPS系统 Tripp Lite 3-SIP UPS 1500VA 940W 8OUT TOWER
MVA35VE102ML17TR
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 1000UF 35V 20% SMD
MT5VDDT1672HY-335F3
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR 128MB 200-SODIMM
MCR18EZHF20R5
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 20.5 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MCR03EZPJ304
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 300K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT29F8G08ABABAWP:B
存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1206（3216 公制） FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
OMNI242
RF 天线 RFM 3-SIP ANTENNA 2.4GHZ 2DBI OMNI TNC
MT5VDDT3272AY-335F1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 256MB 184-DIMM
MCR18EZHF2100
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 210 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MT29F8G08ABABAWP:B TR
存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
MCR03EZPJ334
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 330K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
HF50ACC321611-T
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1206（3216 公制） FERRITE CHIP 31 OHM 1.5A 1206