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» 型号"MVA35VE102ML17TR"的供应信息
MVA35VE102ML17TR 全国供应商、价格、PDF资料
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MVA35VE102ML17TR详细规格
类别:电容器
描述:CAP ALUM 1000UF 35V 20% SMD
系列:MVA
制造商:United Chemi-Con
电容:1000µF
额定电压:35V
容差:±20%
寿命0a0温度:85°C 时为 2000 小时
工作温度:-40°C ~ 85°C
特点:通用
纹波电流:1.1A
ESR(等效串联电阻):365 毫欧
阻抗:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:径向,Can - SMD
尺寸/尺寸:0.630" 直径(16.00mm)
高度_座高(最大):0.650"(16.50mm)
引线间隔:-
表面贴装占地面积:0.669" L x 0.669" W(17.00mm x 17.00mm)
包装:托盘
MVA35VE102ML17TR供应商
MVA35VE102ML17TR
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
MVA35VE102ML17TR
深圳市同亨电子有限公司
【0755-2381688
查看更多MVA35VE102ML17TR的供应商
MX25L4006EPI-12G
存储器 Macronix 8-DIP(0.300",7.62mm) IC FLASH SER 3V 4MB 86MHZ 8PDIP
OMI-SS-248L,500
功率,高于 2 安 TE Connectivity 3-SIP RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 48V
MVA25VE332MM22TR
电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 3300UF 25V 20% SMD
MT5VDDT1672HG-26AC3
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
MCR18EZHF2053
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 205K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MCR03EZPJ2R4
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 2.4 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT29F64G08CFACAWP:C TR
存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) IC FLASH NAND 64GB 48TSOP
MX25L512EMI-10G
存储器 Macronix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC FLASH SER 3V 512KB 8SOP
HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1206(3216 公制) FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
MT5VDDT1672HY-335F3
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR 128MB 200-SODIMM
MCR18EZHF20R5
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 20.5 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MCR03EZPJ304
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 300K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT29F8G08ABABAWP:B
存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1206(3216 公制) FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
MX25L6406EMI-12G
存储器 Macronix 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC FLASH SER 64MB 86MHZ 16SOP
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