ISC1812ES1R2J 全国供应商、价格、PDF资料
ISC1812ES1R2J详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812
- 系列:ISC-1812
- 制造商:Vishay Dale
- 类型:铁粉芯
- 电感:1.2µH
- 电流:
- 额定电流:429mA
- 电流_饱和值:-
- 容差:±5%
- 材料_磁芯:铁粉
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 380 毫欧
- 不同频率时的Q值:30 @ 7.96MHz
- 频率_自谐振:120MHz
- 工作温度:-55°C ~ 125°C
- 封装/外壳:1812(4532 公制)
- 大小/尺寸:0.177" L x 0.126" W x 0.126" H(4.50mm x 3.20mm x 3.20mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
- 热 - 垫,片 t-Global Technology H48-6C SHEET 640X320X1MM
- FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 4.8PF 25V NP0 0201
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 180UH 5% 1812
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
- FET - 单 Fairchild Optoelectronics Group 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
- 热 - 垫,片 t-Global Technology H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5PF 25V NP0 0201
- 热 - 垫,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X2MM
- FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201