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FDS6675BZ详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Optoelectronics Group; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2470pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

FDS6675BZ详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Optoelectronics Group; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2470pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

FDS6675BZ详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Optoelectronics Group; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2470pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

ISC1812ES151K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 150UH 10% 1812
GJM0335C1E4R6BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 4.6PF 25V NP0 0201
IRFU430APBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
FDS6675
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
H48-6C-640-320-1.0-0
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 640X320X1MM
IPW60R190C6
FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
IRFU5305PBF
FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
GJM0335C1E4R8BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 4.8PF 25V NP0 0201
ISC1812ES181J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 180UH 5% 1812
IPW65R110CFD
FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
H48-6C-640-320-2.0-1A
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH
IRFU6215
FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
ISC1812ES1R2J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812
GJM0335C1E5R0CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5PF 25V NP0 0201
H48-6G-100-100-2.0-0
热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X2MM

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