IPW65R190E6 全国供应商、价格、PDF资料
IPW65R190E6详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:650V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:190 毫欧 @ 7.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 730µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:73nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1620pF @ 100V
- 功率_最大:151W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商设备封装:PG-TO247-3
- 包装:管件
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5PF 25V NP0 0201
- 热 - 垫,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X2MM
- FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 330UH 10% 1812
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 热 - 垫,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X1MM