ISC1812ES331K 全国供应商、价格、PDF资料
ISC1812ES331K详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR WW 330UH 10% 1812
- 系列:ISC-1812
- 制造商:Vishay Dale
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:330µH
- 电流:
- 额定电流:96mA
- 电流_饱和值:-
- 容差:±10%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 7.54 欧姆
- 不同频率时的Q值:40 @ 796kHz
- 频率_自谐振:3.7MHz
- 工作温度:-55°C ~ 125°C
- 封装/外壳:1812(4532 公制)
- 大小/尺寸:0.177" L x 0.126" W x 0.126" H(4.50mm x 3.20mm x 3.20mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
- 热 - 垫,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X3MM
- FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 热 - 垫,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X1MM
- 配件 APM Hexseal TO-247-3 BOOT SWITCH TOGGLE BLACK
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK