B32676T3905K 全国供应商、价格、PDF资料
B32676T3905K详细规格
- 类别:薄膜
- 描述:FILM CAP 9.0UF 10% 300VDC
- 系列:B32676
- 制造商:EPCOS Inc
- 电容:9.0µF
- 电压_额定:
- 容差:±10%
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:径向
- 工作温度:-40°C ~ 105°C
- 特点:交流和双倍脉冲
- 包装:散装
- 尺寸/尺寸:1.634" L x 0.945" W(41.50mm x 24.00mm)
- 高度_座高(最大):0.748"(19.00mm)
B32676T3905K详细规格
- 类别:薄膜
- 描述:FILM CAP 9.0UF 10% 300VDC
- 系列:B32676
- 制造商:EPCOS Inc
- 电容:9.0µF
- 额定电压_AC:-
- 额定电压_DC:300V
- 电介质材料:聚丙烯,金属化
- 容差:±10%
- ESR(等效串联电阻):-
- 工作温度:-40°C ~ 105°C
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:径向
- 尺寸/尺寸:1.634" L x 0.945" W(41.50mm x 24.00mm)
- 高度_座高(最大):0.748"(19.00mm)
- 端子:PC 引脚
- 引线间隔:1.476"(37.50mm)
- 特点:交流和双倍脉冲
- 应用:-
- 包装:散装
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.082UF 10V 20% X7R 0402
- 配件 MPD (Memory Protection Devices) 0402(1005 公制) COVER BATTERY FOR 2/3A HOLDER
- I/O 继电器模块 - 输出 Grayhill Inc 0402(1005 公制) OUTPUT MODULE G5 26MA 5VDC
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 9.0UF 10% 300VDC
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 0.1UF 4V 20% X5R 01005
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA TRANS SS PNP 300V 50MA SOT-223
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.15UF 10V 10% X7R 0603
- 配件 MPD (Memory Protection Devices) 0603(1608 公制) COVER BATTERY FOR 2/3A HOLDER
- I/O 继电器模块 - 输出 Grayhill Inc 径向 OUTPUT MODULE DC G5 9MA 24VDC
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANS BASESTATION 2-LDMOST
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 0.1UF 4V 20% X5R 01005
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.15UF 10V 10% X7R 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN 250V 50MA SOT223
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 8.2PF 25V 5% NP0 0402