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BLF6G20LS-180RN:11详细规格: 类别：RF FET; 描述：TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：LDMOS; 频率：1.93GHz ~ 1.99GHz; 增益：17.2dB; 电压_测试：30V; 额定电流：49A; 噪音数据：-; 电流_测试：1.4A; 功率_输出：40W; 电压_额定：65V; 封装/外壳：SOT-502B; 供应商设备封装：LDMOST; 包装：带卷 (TR)

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70G-JUMP8
配件 Grayhill Inc 径向 JUMPER BAR 8PS
C0402X5R0G104M
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 0.1UF 4V 20% X5R 01005
BLF6G20LS-140,118
RF FET NXP Semiconductors SOT-502B IC BASESTATION FINAL SOT502B
C0603C154K4RALTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 16V 10% X7R 0603
BF720T1
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA TRANS NPN 100MA 300V SOT223
C0402C823M8RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.082UF 10V 20% X7R 0402
BH2/3AC
配件 MPD (Memory Protection Devices) 0402（1005 公制） COVER BATTERY FOR 2/3A HOLDER
70G-OAC5RLY
I/O 继电器模块 - 输出 Grayhill Inc 0402（1005 公制） OUTPUT MODULE G5 26MA 5VDC
B32676T3905K
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 9.0UF 10% 300VDC
BF721T1G
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA TRANS SS PNP 300V 50MA SOT-223
C0603C154K8RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 10V 10% X7R 0603
BH2/3AC
配件 MPD (Memory Protection Devices) 0603（1608 公制） COVER BATTERY FOR 2/3A HOLDER
C0402C829D5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 8.2PF 50V NP0 0402
B32676T3905K
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 9.0UF 10% 300VDC
70G-ODC24B
I/O 继电器模块 - 输出 Grayhill Inc 径向 OUTPUT MODULE DC G5 9MA 24VDC