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3毫米( T1 )的LED ,不扩散
超亮,超红GaAIAs - LED
LH 3344
Besondere Merkmale
q
q
q
q
q
q
eingefrbtes , klares Gehuse
Doppel - Heterostruktur的GaAlAs的TECHNOLOGIE
besonders霍厄Lichtstrke
Ltspiee MIT Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Strimpulsfest NACH DIN 40839
VEX06711
特点
q
q
q
q
q
q
有色,明确包
在GaAIAs技术的双异质结
特别是高发光强度
焊引线与对峙
可在录音盘
负载突降耐ACC 。根据DIN 40839
典型值
TYPE
Emissionsfarbe
颜色
发射
Gehusefarbe
颜色
Lichtstrke
发光的
强度
I
F
= 10毫安
I
V
( MCD )
63
100
160
250
100
… 500
… 200
… 320
… 500
… 800
Bestellnummer
订购代码
LH 3344 - QT
LH 3344 -R
LH 3344 -S
LH 3344 -T
LH 3344 -RU
超红
红清除
Q62703-Q2231
Q62703-Q3198
Q62703-Q3199
Q62703-Q3817
Q62703-Q3200
Streuung德Lichtstrke在einer Verpackungseinheit
I
V最大
/
I
V分钟
2.0.
在一个包装单元的发光强度比
I
V最大
/
I
V分钟
2.0.
Seniconductor集团
1
11.96
LH 3344
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebstemperatur
工作温度范围
Lagertemperatur
存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Durchlastrom
正向电流
Stostrom
浪涌电流
t
10
s,
D = 0.005
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung
功耗
T
A
25 C
Wrmewiderstand
热阻
Sperrschicht /拉夫特
结/空气
符号
符号
Werte
– 55 … + 100
– 55 … + 100
+ 100
40
0.5
统一性
单位
C
C
C
mA
A
T
op
T
英镑
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
合计
3
120
V
mW
R
日JA
400
K / W
半导体集团
2
LH 3344
Kennwerte
(
T
A
= 25 C)
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge德emittierten Lichtes
峰值波长
I
F
= 20毫安
Dominantwellenlnge
主波长
I
F
= 20毫安
Spektrale Bandbreite蓓50 %
I
相对最大
光谱带宽在50 %
I
相对最大
I
F
= 20毫安
Abstrahlwinkel贝50 %
I
V
( Vollwinkel )
在50 %的可视角度
I
V
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 10毫安
Sperrstrom
反向电流
V
R
= 3 V
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Schaltzeiten :
开关时间:
I
V
从10%到90%的
I
V
从90%到10%的
I
F
= 100毫安,
t
P
= 10
s,
R
L
= 50
符号
符号
(典型值)。
λ
PEAK
(典型值)。
(典型值)。
λ
DOM
(典型值)。
(典型值)。
λ
(典型值)。
2
(典型值)。
V
F
( MAX 。 )
V
F
(典型值)。
I
R
( MAX 。 )
I
R
(典型值)。
C
0
Werte
660
统一性
单位
nm
645
nm
22
nm
25
1.75
2.6
0.01
10
25
毕业生
度。
V
V
A
A
pF
(典型值)。
t
r
(典型值)。
t
f
140
110
ns
ns
半导体集团
3
LH 3344
相对spektrale发射
I
REL
=
f
(
λ
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20毫安
相对光谱发射
V (
λ
) = spektrale Augenempfindlichkeit
标准眼响应曲线
Abstrahlcharakteristik
I
REL
=
f
()
辐射特性
半导体集团
4
LH 3344
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
正向电流
T
A
= 25 C
相对Lichtstrke
I
V
/
I
V (10 mA)的
=
f
(
I
F
)
相对发光强度
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
可允许脉冲处理能力
占空比D =参数,
T
A
= 25 C
最大zulssiger Durchlastrom
马克斯。容许正向电流
I
F
=
f
(
T
A
)
半导体集团
5
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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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