【BFP 182NPN硅晶体管RF对于低噪声，高增益宽带放大器在集电极电流在1mA到20mAfT= 8】,IC型号Q62702-F1396,Q62702-F1396 PDF资料,Q62702-F1396经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BFP 182

NPN硅晶体管RF

对于低噪声，高增益宽带放大器在

集电极电流在1mA到20mA

f

T

= 8GHz的

F

= 1.2分贝在900MHz

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理防范！

TYPE

订购代码标识

引脚配置

BFP 182

RGS

Q62702-F1396

1=C

2=E

3=B

4=E

包

SOT-143

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

符号

值

12

20

20

2

35

4

mW

250

150

- 65 ... + 150

- 65 ... + 150

≤

325

°C

mA

单位

V

V

首席执行官

V

CES

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

T

j

T

A

T

英镑

1)

T

S

≤

69 °C

结温

环境温度

储存温度

热阻

结 - 焊接点

R

thjs

K / W

1)

T

S

是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。

半导体集团

1

Dec-12-1996

BFP 182

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CEO

12

-

-

-

-

100

-

V

A

-

100

nA

-

100

A

-

1

-

50

200

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

集电极 - 发射极截止电流

I

CES

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE

= 20 V,

V

BE

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 10 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 1 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 8 V

半导体集团

2

Dec-12-1996

BFP 182

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

值

典型值。

马克斯。

单位

f

T

6

8

0.27

0.27

0.6

-

GHz的

pF

-

0.45

-

-

dB

-

-

1.2

1.9

-

-

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 8 V,

f

= 500 MHz的

集电极 - 基极电容

C

cb

C

ce

-

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

集电极 - 发射极电容

V

CE

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

C

eb

-

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

噪声系数

F

I

C

= 3毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

SOPT

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

功率增益

1)

G

ms

-

21.5

-

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 8 V,

f

= 900兆赫

Z

S

=

Z

SOPT ，

Z

L

=

Z

LOPT

功率增益

2)

G

ma

-

|S

21e

|

2

-

-

17

11

-

-

15

-

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 8 V,

f

= 1.8 GHz的

Z

S

=

Z

SOPT ，

Z

L

=

Z

LOPT

传感器增益

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=Z

L

= 50

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

1)

G

ms

= |S

21

/S

12

|

2)

G

ma

= |S

21

/S

12

| (k-(k

2

-1)

1/2

)

半导体集团

3

Dec-12-1996

BFP 182

SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利SPICE 2G.6语法）：

晶体管芯片数据

IS =

VAF =

NE =

VAR =

NC =

RBM =

CJE =

TF =

ITF =

VJC =

TR =

MJS =

XTI =

4.8499

21.742

0.91624

2.2595

0.5641

3.4217

8.8619

22.72

6.5523

1.0132

1.7541

0

3

fA

V

-

V

-

fF

ps

mA

V

ns

-

-

BF =

IKF =

BR =

IKR =

RB =

RE =

VJE =

XTF =

PTF =

MJC =

CJS =

XTB =

FC =

84.113

0.14414

10.004

2.8263

2.1858

1.0378

0.43147

0

0.31068

0

0

0.64175

-

A

-

V

-

度

-

fF

-

-

NF =

ISE =

NR =

ISC =

IRB =

RC =

MJE =

VTF =

CJC =

XCJC =

VJS =

EG =

TNOM

0.56639

8.4254

0.54818

5.9438

1.8159

0.40796

0.34608

490.25

0.19281

0.75

1.11

300

-

fA

-

fA

-

V

fF

-

V

eV

K

0.039478 A

0.071955毫安

所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。

提取的代表SIEMENS小信号半导体的方式：

研究所献给美孚- UND Satellitenfunktechnik （ IMST ）

1996 SIEMENS AG

包装等效电路：

LBI =

LBO =

雷=

LEO =

LCI =

LCO =

CBE =

建行=

CCE =

0.89

0.73

0.4

0.15

0

0.42

189

15

187

nH

nH

nH

nH

nH

nH

fF

fF

fF

有效期至6 GHz

有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的西门子分销商或销售办事处

获得西门子的CD -ROM或参阅网址： http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm

半导体集团

4

Dec-12-1996

BFP 182

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*,

T

S

)

*包装安装在环氧

300

mW

P

合计

T

S

200

150

T

A

100

50

0

0

20

40

60

80

100

120 °C 150

T

A

,T

S

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

10

2

R

thjs

K / W

P

totmax

/P

totDC

-

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

2

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

10

1

10

1

-7

10

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10 s 10

t

p

-1

0

10

0

-7

10

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10 s 10

t

p

-1

0

半导体集团

5

Dec-12-1996

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供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

聚芯优品（深圳）控股集团有限公司

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电话：0755-28458422

联系人：max

地址：深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD双子塔.西塔3903B

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-

-

-

-

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深圳市鹏顺兴科技有限公司

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电话：0755-23063133/23042311

联系人：谭小姐

地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

Q62702-F1396

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-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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电话：0755-83209937

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

Q62702-F1396

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-

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-

终端采购配单精选

HECC GROUP CO，LIMITED

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电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890

联系人：Sante Zhang/Mollie

地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

Q62702-F1396

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-

-

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终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

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