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BAT 62-03W
硅肖特基二极管
低势垒二极管用于检测高达GHz的频率
防静电:静电放电
敏感的设备,观察处理注意事项!
TYPE
订购代码标识
Q62702-A1028
引脚配置
1=A
2=C
SOD-323
BAT 62-03W L
最大额定值
参数
二极管的反向电压
正向电流
结温
储存温度
总功耗
热阻
交界处的环境
1)
符号
40
40
150
- 55 ... + 150
100
单位
V
mA
°C
mW
V
R
I
F
T
j
T
英镑
T
S
85°C
P
合计
R
thJA
R
thjs
650
810
K / W
结 - 焊接点
1 )包装安装在环氧印刷电路板尺寸仅为15mm× 16.7mmm X 0.7毫米
半导体集团
1
Mar-07-1996
BAT 62-03W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
反向电流
典型值。
马克斯。
单位
I
R
-
-
0.58
10
A
V
-
1
V
R
= 40 V,
T
A
= 25 °C
正向电压
V
F
I
F
= 2毫安
AC特性
二极管电容
C
T
-
0.35
0.1
225
2
0.6
-
pF
V
R
= 0 ,
f
= 1兆赫
案例电容
C
C
-
f
= 1兆赫
微分电阻
R
0
-
-
-
k
-
nH
V
R
= 0 ,
f
= 10千赫
串联电感芯片到地
L
s
半导体集团
2
Mar-07-1996
BAT 62-03W
正向电流
I
F
=
f
(V
F
)
T
A
=参数
漏电流
I
R
=
F(V
R
)
T
A
=参数
10
4
10
3
uA
uA
I
F
10
3
I
R
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 125°C
T
A
= -40°C
10
2
TA = 125°C
TA = 85°C
10
1
10
2
10
0
TA = 25°C
10
1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
V
V
F
2.0
10
-1
0
5
10
15
20
25
30
V
V
R
40
二极管电容
C
T
= f
(V
R
)
f
= 1MHz的
整流电压
V
0
=
f
(V
i
)
f
= 900MHz的
R
L
在“参数
10
4
mV
10
3
0.5
C
T
pF
V
A
10
2
0.3
10
1
10
0
0.2
10
-1
0.1
10
-2
R
L
=5k
R
L
=20k
R
L
=100k
R
L
=200k
R
L
=1M
0.0
0
5
10
15
20
V
30
10
-3
0
10
10
1
10
2
10
3
V
R
mV
V
E
半导体集团
3
Mar-07-1996
BAT 62-03W
半导体集团
4
Mar-07-1996
BAT 62-02W
硅肖特基二极管
低势垒二极管用于检测高达GHz的
频率
2
1
VES05991
防静电:静电放电
敏感的设备,观察处理防范
TYPE
BAT 62-02W
订购代码标识
L
Q62702-A1028
引脚配置
1=C
2=A
SCD-80
最大额定值
参数
二极管的反向电压
正向电流
结温
储存温度
符号
价值
40
40
150
-55 ...+150
单位
V
mA
°C
V
R
I
F
T
j
T
英镑
热阻
结 - 环境
1)
R
thJA
R
thjs
650
810
K / W
结 - 焊接点
1 )包装安装在环氧印刷电路板尺寸仅为15mm× 16.7毫米X 0.7毫米
半导体集团
半导体集团
1
1
Jul-02-1998
1998-11-01
BAT 62-02W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
反向电流
典型值。
-
0.58
马克斯。
10
1
单位
I
R
V
F
-
-
A
V
V
R
= 40 V
正向电压
I
F
= 2毫安
AC特性
二极管电容
C
T
C
C
R
0
L
s
-
-
-
-
0.35
0.09
225
0.6
0.6
-
-
-
pF
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
案例电容
f
= 1兆赫
微分电阻
k
nH
V
R
= 0 ,
f
= 10千赫
串联电感芯片到地
半导体集团
半导体集团
2
2
Jul-02-1998
1998-11-01
BAT 62-02W
正向电流
I
F
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
50
mA
I
F
T
A
30
T
S
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F(T
p
)
允许的脉冲负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
F(T
p
)
10
3
10
1
K / W
R
thjs
I
FMAX
/
I
FDC
10
2
-
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1 -7
10
10
-6
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
半导体集团
半导体集团
3
3
Jul-02-1998
1998-11-01
BAT 62-02W
正向电流
I
F
=
f
(V
F
)
T
A
=参数
10
4
漏电流
I
R
=
F(V
R
)
T
A
=参数
10
3
uA
uA
T
A
= 125°C
I
F
10
3
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 125°C
T
A
= -40°C
10
2
I
R
T
A
= 85°C
10
1
10
2
10
0
T
A
= 25°C
10
1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
V
2.0
10
-1
0
5
10
15
20
25
30
V
40
V
F
V
R
二极管电容
C
T
= f
(V
R
)
f
= 1MHz的
整流电压
V
OUT
=
f
(V
in
)
f
= 900兆赫
R
L
=以kΩ参数
10
4
mV
10
3
0.5
pF
C
T
0.3
10
2
V
O
10
1
10
0
0.2
10
-1
0.1
10
-2
1000
500
200
100
50
20
R
L
=10
0.0
0
5
10
15
20
V
30
10
-3 0
10
10
1
10
2
10
3
mV
10
4
V
R
V
I
半导体集团
半导体集团
4
4
Jul-02-1998
1998-11-01
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    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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