SIGC144T170R2C
IGBT芯片在NPT技术
产品特点：
1700V NPT技术
280μm芯片
短路证明
正温度系数
简单的并联
C
该芯片被用于：
芯片只
应用范围：
驱动器
G
E
芯片型号
SIGC144T170R2C
V
CE
1700V
I
Cn
75A
模具尺寸
11.98 X 11.98毫米
2
包
锯成薄片上
订购代码
Q67041-A4696-
A001
力学参数：
栅格尺寸
总面积/主动
发射极焊盘尺寸
门焊盘尺寸
厚度
晶圆尺寸
平位置
每片晶圆的芯片Max.possible
钝化前端
发射极金属化
收藏家金属化
DIE BOND
引线键合
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境
11.98 x 11.98
143.52 / 113.6
8x ( 1.98x2.98 )
0.757 x 1.48
280
150
90
93个
Photoimide
3200纳米的铝硅1 ％
1400纳米镍银 - 系统
适用于环氧树脂和软钎焊接模具
导电胶水或焊料
AL ，
≤500m
0.65毫米;最大1.2毫米
储存于原装容器中，在干燥的氮气，
< 6个月在23 ℃的环境温度下
m
mm
度
mm
2
英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7361M ，第2版， 2003年4月9日编辑
SIGC144T170R2C
最大额定值：
参数
集电极 - 发射极电压，
T
j=25
°C
DC集电极电流限制T
JMAX
集电极电流脉冲，T
p
限制T
JMAX
门极电压
工作结温和存储温度
1)
符号
V
CE
I
C
I
Cpuls
V
GE
T
j
, T
S T摹
价值
1700
1)
单位
V
A
A
V
°C
225
±20
-55 ... +150
根据装配的热性能
静态特性
（片上测试） ，
T
j=25
°C,
除非另有规定：
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
集成门极电阻
符号
V
（ BR ） CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
R
GINT
条件
V
GE
= 0V时，我
C
=5mA
V
GE
= 15V ，我
C
=75A
I
C
= 3.3毫安，V
GE
=V
CE
V
CE
=1700V , V
GE
=0V
V
CE
=0V , V
GE
=20V
5
价值
分钟。
1700
2.2
4.5
2.7
5.5
3.2
6.5
18
480
A
nA
V
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
（在部分测试） ：
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
C
我S S小
C
S S小
C
S S小
条件
V
权证
= 2 5 V ,
V
GE
= 0 V ,
f
=1MHz
价值
分钟。
-
-
-
典型值。
5
待定
待定
马克斯。
-
-
-
单位
nF
开关特性
（在组件测试） ，感性负载：
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
1)
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
条件
1)
T
j
= 1 2 5
°
C
V
C C
= 90 0 V ,
I
C
=75A
V
GE
=
±
1 5 V ,
R
G
= 2 0
价值
分钟。
-
-
-
-
典型值。
0.1
0.1
0.9
0.03
马克斯。
-
-
-
-
单位
ns
值也由寄生L-和C-在测量和包装的影响。
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SIGC144T170R2C
CHIP图：
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SIGC144T170R2C
进一步电气特性：
该芯片数据手册指
器件的数据手册
芯片只
描述：
AQL的目视检查0,65根据故障目录
根据MIL -STD 883静电放电敏感设备
测试 - 诺门菲拉赫/ Prüffeld
出版
英飞凌科技股份公司，
Bereich KOMMUNIKATION
圣 - 马丁大街53 ，
D- 81541慕尼黑
英飞凌科技股份公司2002年
版权所有。
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此处的信息是考虑到某些描述部件，不得被视为保证
的特点。
交货条件和权利，以技术变革保留。
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关于电路，说明和图表规定外。
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信息
有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的
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地址列表） 。
警告
由于技术要求组件可能含有危险物质。有关类型的信息
有问题请联系距离您最近的英飞凌科技办公室。
英飞凌组件只能用于生命支持设备或系统的明确
英飞凌科技的书面批准，如果有这样的组件故障可以合理预期
造成生命支持设备或系统故障，或影响该设备的安全性或有效性或
系统。生命支持设备或系统的目的是要植入在人体内，或者以支持
和/或维护以及维持和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该
用户或其他人的健康可能受到威胁。
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